特許
J-GLOBAL ID：200903044901394191

半導体装置及び電力変換装置

発明者：
石井 宏辰

石井 宏辰 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091852
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266475
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】基板面積の増大を招かず、電力損失の少ない半導体装置の実現を目的とする。【解決手段】導電性を有する半導体基板21と、前記基板21の第一の面側に形成された少なくとも窒化物系化合物半導体層を含む積層半導体層により構成された電界効果トランジスタ1と、前記積層窒化物系化合物半導体層を貫き前記基板21に到達する孔8と、前記孔8の底部に形成された一方の電極と前記基板の第二の面側に形成された他方の電極とにより構成されたダイオード2と、を有する半導体装置7。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
導電性を有する半導体基板と、 前記基板の第一の面側に形成された少なくとも窒化物系化合物半導体層を含む積層半導体層により構成された電界効果トランジスタと、 前記積層窒化物系化合物半導体層を貫く孔と、 前記孔の底部に形成された一方の電極と前記基板の第二の面側に形成された他方の電極とにより構成されたダイオードと、 を有する半導体装置。
IPC (13件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/822
FI (13件)：
H01L27/06 F ,  H01L29/80 P ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/50 J ,  H01L27/04 H
Fターム (51件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC08 ,  5F102HC15 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AA32 ,  5F140AB06 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BH30 ,  5F140BK13 ,  5F140DA08
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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