特許
J-GLOBAL ID：200903044982953092

シリコン基板及びその製造方法

発明者：
佐々木 斉

佐々木 斉 について

, 
加藤 禎宏

加藤 禎宏 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-098638
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273814
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】窒化物化合物半導体素子を形成するためにエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体の湾曲を抑制するシリコン基板を提供すること。【解決手段】シリコン基板1において、窒化物系化合物半導体層2の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面1aには、窒化物系化合物半導体層2の成長後にその反りを減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体層の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面には、前記窒化物系化合物半導体層の成長後に前記応力を減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されていることを特徴とするシリコン基板。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/06
FI (5件)：
H01L21/20 ,  H01L21/265 W ,  H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  C30B29/06 B
Fターム (37件)：
4G077AA02 ,  4G077AB03 ,  4G077BA04 ,  4G077EB01 ,  4G077FB06 ,  4G077FD02 ,  4G077FE20 ,  4G077FG12 ,  4G077GA10 ,  4G077HA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF11 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F152LN05 ,  5F152LN14 ,  5F152MM05 ,  5F152NN03 ,  5F152NP09 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (15件)
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