特許
J-GLOBAL ID：200903045100379545
薄膜インダクタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052071
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246467
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 大きなインダクタンスを得ることができる薄膜インダクタ技術を提供する。【解決手段】 支持基板の平面状の支持面の上に、磁性材料からなる下部磁性層が形成されている。下部磁性層の上に、非磁性の導電材料からなり、長手方向に電流が流れる配線が形成されている。この配線の外周面は、支持面に対向する平面状の下表面と下表面以外の上表面により構成されている。上表面内の各点の法線ベクトルと支持面の法線ベクトルとのなす角が90°よりも小さい。配線を上から覆うように、磁性材料からなり、下部磁性層と共に配線と鎖交する閉磁路を構成する上部磁性層が形成されている。
請求項（抜粋）：
平面状の支持面を有する支持基板と、前記支持面の上に形成され、磁性材料からなる下部磁性層と、前記下部磁性層の上に、非磁性の導電材料により形成され、長手方向に電流が流れる配線であって、該配線の外周面が、前記支持面に対向する平面状の下表面と該下表面以外の上表面により構成され、該上表面内の各点の法線ベクトルと前記支持面の法線ベクトルとのなす角が90°よりも小さい前記配線と、前記配線を上から覆うように、磁性材料により形成され、前記下部磁性層と共に前記配線と鎖交する閉磁路を構成する上部磁性層とを有する薄膜インダクタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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