特許
J-GLOBAL ID：200903045198941882

半導体光素子の製造方法

発明者：
花巻 吉彦

花巻 吉彦 について

, 
小野 健一

小野 健一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068538
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235329
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるBDR(Band Discontinuity reduction)層形成のためのBDR層形成工程と、BDR層に接し、BDR層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第一の不純物がドープされた、第一導電型であるBDR(Band Discontinuity reduction)層形成のためのBDR層形成工程と、 前記BDR層に接し、前記BDR層成長後に堆積される、電極形成のための、前記第一の不純物と第ニの不純物がドープされた、第一導電型であるコンタクト層形成のための、コンタクト層形成工程と、 前記コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、 を有する半導体光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S5/042 614 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 E
Fターム (31件)：
5F041AA24 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F173AA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AF24 ,  5F173AF64 ,  5F173AF75 ,  5F173AF78 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ05 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AJ43 ,  5F173AK13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP53 ,  5F173AP57 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR64
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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