特許
J-GLOBAL ID：200903045751560434

スピンデバイス

発明者：
麻谷 崇史

麻谷 崇史 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-356430
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166608
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】 スピン注入によってフリー層の磁化の向きを制御可能なスピンデバイスを提供する。【解決手段】 スピンデバイス1においては、副トンネル障壁Fが、非磁性金属層Dから強磁性層Eに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層C内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Cの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。絶縁層としての副トンネル障壁Fを構成する材料がZnOである場合には、副トンネル障壁Fのトンネル抵抗を低くすることが可能なので、その影響を抑制し、他方のトンネル障壁層Bに関する磁気抵抗変化を読み出すのに有利である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ピンド層、トンネル障壁層、フリー層、非磁性金属層及び強磁性層を順次積層してなるスピンデバイスにおいて、前記非磁性金属層と前記強磁性層との間に副トンネル障壁を備えたことを特徴とするスピンデバイス。
IPC (2件)：
H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z
Fターム (17件)：
5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM