トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408858
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311945
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】真の低コスト化を図り、かつ高温での処理をなくしてプロセスの自由度を高めるべく、液体シリコン材料を使ってチャネル層とゲート絶縁膜とを同時に作製するようにしたトランジスタの製造方法、およびこの製造方法によって得られるトランジスタを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】紫外線が照射されることにより光重合して高次シランとなるシラン化合物を含有した液状体材料2を用意し、この液状体材料2を基体1上に塗布して塗布膜3を形成する工程と、塗布膜3を酸素又はオゾンからなる雰囲気に暴露して、塗布膜3の表面を酸化させる工程と、表面酸化後の塗布膜3を不活性雰囲気で熱処理及び/又は光照射処理し、塗布膜3をシリコン層5とシリコン層5の上に形成されたシリコン酸化層6とにする工程と、を備えたトランジスタの製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、該基体上方に設けられたシリコン層と、該シリコン層上に設けられたゲート絶縁膜とを備えたトランジスタの製造方法であって、紫外線が照射されることにより光重合して高次シランとなるシラン化合物を含有した液状体材料を用意し、この液状体材料を前記基体上に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を酸素又はオゾンからなる雰囲気に暴露して、該塗布膜の表面を酸化させる工程と、表面酸化後の前記塗布膜を不活性雰囲気で熱処理及び/又は光照射処理し、該塗布膜を前記シリコン層と該シリコン層の上に形成されたシリコン酸化層とにする工程と、を備えたことを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L29/78 618A , H01L21/208 Z , H01L21/316 C , H01L21/316 G , H01L29/78 617V , H01L29/78 616L

Fターム (52件)：

5F053AA06 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG02 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053PP20 , 5F053RR05 , 5F058BA11 , 5F058BB04 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BF61 , 5F058BF77 , 5F058BF78 , 5F058BH02 , 5F058BJ04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN36 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (9件)

シリコン薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-402809 出願人：セイコーエプソン株式会社, ジェイエスアール株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-367548 出願人：日本電気株式会社
特開平3-292741

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審査官引用 (1件)

特開平3-292741

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