特許
J-GLOBAL ID:200903046142458913

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-205220
公開番号(公開出願番号):特開2006-032435
出願日: 2004年07月12日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
【課題】 接合基板上に例えば非単結晶シリコン半導体と単結晶シリコン半導体とを混在させると共に、COG技術によるディスプレイパネル製造よりも高い生産性を有し、接合工程を±1μm以内の高精度で行い、接合した単結晶シリコン基板から細い多数の配線に接続でき、高精度で高機能のディスプレイ半導体を効率的にかつ省スペースで製造し得る半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 半導体構造の少なくとも一部が形成された1個以上の単結晶Si基板10を、表面にエッジ32aを有する位置決め用基板30上に載置し、1個以上同時に位置決め用基板30の表面に平行にエッジ32aまで移動させて位置決めした後、一時固定する。単結晶Si基板10を、多結晶Siガラス基板40における、位置決め用基板30のエッジ32aに対応させた設定位置に一括で接合する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体回路部材を位置決め部を有する位置決め用基板に載せ、上記半導体回路部材を上記位置決め用基板の表面を移動させて上記位置決め部に位置決めし、1以上の上記半導体回路部材を上記位置決め用基板に一時固定する工程と、 一時固定した上記半導体回路部材を一括して接合基板に接合する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件):
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (7件):
H01L27/12 B ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/00 348Z ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612D
Fターム (63件):
2H092GA48 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092MA32 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F052KB04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA17 ,  5G435CC09 ,  5G435EE32 ,  5G435EE37 ,  5G435EE41 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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