単結晶Si基板、半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-067109
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165600
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】非単結晶Si薄膜と単結晶Si薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Si薄膜デバイスを形成するための単結晶Si基板を提供する。【解決手段】半導体装置20は、絶縁基板2上に、SiO2膜3、多結晶Siからなる非単結晶Si薄膜5’を含むMOS型の非単結晶Si薄膜トランジスタ1a、単結晶Si薄膜14aを備えたMOS型の単結晶Si薄膜トランジスタ16a、金属配線22を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に酸化膜、ゲートパターン、不純物イオン注入部が形成された後に表面が平坦化されており、所定の深さに所定の濃度の水素イオンが注入された水素イオン注入部を備えていることを特徴とする単結晶Si基板。

IPC (13件)：

H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/732 , H01L29/786

FI (9件)：

H01L27/12 B , G02F1/1368 , H01L27/08 331E , H01L29/78 627D , H01L27/06 321A , H01L27/06 101U , H01L29/72 P , H01L27/08 102A , H01L21/265 Q

Fターム (119件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA40 , 2H092JB56 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA25 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA26 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 5F003AZ03 , 5F003BH93 , 5F003BJ15 , 5F003BM06 , 5F003BN01 , 5F003BP21 , 5F003BP31 , 5F003BP36 , 5F003BP44 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AA10 , 5F048AC04 , 5F048AC05 , 5F048AC07 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048CA03 , 5F048CA06 , 5F048DA00 , 5F082AA08 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082CA07 , 5F082DA06 , 5F082EA09 , 5F082EA22 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD02 , 5F110DD08 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL06 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (11件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-103224 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-273935 出願人：ソニー株式会社
特開平4-362924

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