特許
J-GLOBAL ID：200903046264810626

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
上田 哲三

上田 哲三 について

, 
折田 賢児

折田 賢児 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023687
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235122
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】コストを低減しながら、光の取り出し効率を向上させて高輝度化を実現し、且つ放熱性を改善して高出力動作を実現できるようにする。【解決手段】半導体発光装置は、基板101と、該基板101の上に成長により形成され、発光ダイオード構造を含む複数の窒化物半導体層120と、該窒化物半導体層120の上に形成されたp側高反射電極107とを有している。基板101には、窒化物半導体層120を露出する第1の開口部101aが形成されており、p側高反射電極107は、基板101における第1の開口部101a及び該第1の開口部101aの周辺領域と対向するように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に成長により形成され、活性層を含む複数の半導体層と、 前記半導体層の上に形成された第1の電極とを備え、 前記基板には、前記半導体層を露出する第1の開口部が形成されており、 前記第1の電極は、前記基板における前記第1の開口部及び該第1の開口部の周辺領域と対向するように形成され、前記第1の電極の平面積は、前記第1の開口部の開口面積よりも大きいことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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