特許
J-GLOBAL ID：200903065340529529
窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047704
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】早期の劣化を防止し、低駆動電圧で信頼性の高い金属板を用いた窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法およびその製品を提供する。【解決手段】基板上方にn型窒化物系化合物半導体層、窒化物系化合物半導体発光層およびp型窒化物系化合物半導体層をこの順に積層する工程と、p型窒化物系化合物半導体層上に単層または多層の金属膜を形成する工程と、金属膜上に金属板をメッキ法により形成する工程とを含む窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法とその製品であることを特徴としている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上方にn型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層およびp型窒化物系半導体層をこの順に積層する工程と、p型窒化物系半導体層上に単層または多層の金属膜を形成する工程と、金属膜上に電極として金属板をメッキ法により形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA58
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CA99
