特許
J-GLOBAL ID：200903046307205314

トレンチ・アイソレーション構造の形成方法

発明者：
名 倉 映 乃

名 倉 映 乃 について

, 
清 水 泰 雄

清 水 泰 雄 について

, 
一 山 昌 章

一 山 昌 章 について


出願人/特許権者：
AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社

AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-167435
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347636
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 トレンチ・アイソレーション構造における溝の内部にボイドやクラックがなく、基板とシリカ質膜との密着性が優れた、シリカ質膜付き基材とその製造方法との提供。【解決手段】 表面が窒化シリコンライナー膜で連続的に被覆されたトレンチ・アイソレーション溝を有する基板にケイ素含有ポリマー溶液を塗布し、塗布済み基板を、900°C以上1200°C以下の温度で加熱処理することを含む、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法、およびそれを用いたシリカ質膜付き基材。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、表面が窒化シリコンライナー膜で連続的に被覆されたトレンチ・アイソレーション溝を形成させる溝形成工程、 ポリシラザン、水素化シルセスキオキサン、およびそれらの混合物からなる群から選択されるケイ素含有ポリマーを有機溶媒に溶解させた溶液を前記基板上に塗布してケイ素含有ポリマー被膜を形成させる、塗布工程、 塗布済み基板を、900°C以上1200°C以下の温度で加熱処理してケイ素含有ポリマー被膜を二酸化シリコン膜に転換させる硬化工程、 を含んでなることを特徴とする、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/76 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01L21/76 L ,  H01L21/316 G
Fターム (23件)：
5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA49 ,  5F032AA50 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA09 ,  5F032DA23 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F058BA02 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (9件)
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