特許
J-GLOBAL ID：200903058716244206

半導体装置およびその製造方法

発明者：
井上 真雄

井上 真雄 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031796
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 良好なトランジスタ特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の活性領域がトレンチ分離によって電気的に分離されている。このトレンチ分離は、溝3と、溝3の内壁に形成されたシリコン酸化膜4と、シリコン酸化膜4と半導体基板1との間に形成された酸化防止膜6と、溝3内を埋め込む埋め込み酸化膜7とから構成されている。ゲート酸化膜8は、水素ラジカルおよび酸素ラジカルの少なくとも1つが発生するような酸化力の強い酸化によって形成される。これにより、ゲート酸化膜8は酸化防止膜6の真上領域の膜厚TA1とゲート電極層9の真下領域の膜厚TB1とが略同一となるような均一な膜厚で形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に溝を形成する工程と、前記溝の内壁に沿って酸化防止膜を形成する工程と、前記溝を埋め込むように充填層を形成する工程と、水素ラジカルおよび酸素ラジカルの少なくとも1つが発生するような雰囲気中で酸化力の強い酸化を施すことにより、前記半導体基板の主表面にゲート酸化膜を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (48件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF63 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP45 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA07 ,  5F101BA23 ,  5F101BA35 ,  5F101BB05 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05 ,  5F140AA08 ,  5F140AA19 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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