特許
J-GLOBAL ID：200903046629702623
半導体装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-100460
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335844
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】プロセス上のばらつきに対する耐圧の低下が小さい半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、素子領域50と終端部60とに分けられ、素子領域50の素子中央領域51と終端部60との間には、高抵抗半導体層12に隣接する第1の半導体ピラー領域3及び第2の半導体ピラー領域4の深さが、終端部60に向かうにしたがって段階的に浅くなる境界領域52が設けられたスーパージャンクション構造部があり、境界領域52は、制御電極8よりも終端部60側に位置している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の主面上に設けられた第1導電型の第1の半導体ピラー領域と、
前記半導体層の前記主面に対して略平行な方向に前記第1の半導体ピラー領域と共に周期的配列構造を形成するように、前記第1の半導体ピラー領域に隣接して前記半導体層の前記主面上に設けられた第2導電型の第2の半導体ピラー領域と、
前記半導体層の前記主面の反対側に設けられた第1の主電極と、
前記第1の半導体ピラー領域及び前記第2の半導体ピラー領域の上に選択的に設けられた第2導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面に選択的に設けられた第1導電型の第2の半導体領域と、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域に接して設けられた第2の主電極と、
前記第1の半導体領域、前記第2の半導体領域および前記第1の半導体ピラー領域の上に絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第1の半導体ピラー領域及び前記第2の半導体ピラー領域を囲む終端部における前記半導体層上に設けられ、前記第1の半導体ピラー領域よりも不純物濃度が低い高抵抗半導体層と、
を備え、
素子中央領域と前記終端部との間に、前記高抵抗半導体層に隣接する前記第1の半導体ピラー領域及び前記第2の半導体ピラー領域の深さが、前記終端部に向かうにしたがって段階的に浅くなる境界領域が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 652P
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
全件表示
前のページに戻る
