高SP3内容を有する第1炭素被膜と低SP3内容を有する第2炭素被膜とを含む磁気ディスク

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-063717
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】炭素保護被膜を有する磁気ディスクにおいて、ディスク-ヘッド間の減摩システムに大きな影響を与えずに、改良された炭素保護被膜を形成する方法及びその改良された炭素保護被膜を有する磁気ディスクを提供する。【解決手段】この磁気ディスクを製造する方法は、磁気ディスク上に第1及び第2保護炭素層を形成することを含む。第1保護炭素層はSP3優勢な炭素である。第2保護炭素層は約50%又はそれより少ないSP3炭素を含む。第2保護炭素層は、非常に薄く、例えば、0.1乃至1.0nmの厚さを有する。潤滑層(例えば、過フルオロポリエーテル潤滑剤)が第2保護炭素層に塗布される。第2保護炭素層はディスクと潤滑剤と間の改良された協働を促進する。

請求項（抜粋）：

磁気ディスクを製造する方法であって、前記ディスク上に第1炭素層を堆積し、前記第1炭素層はSP3優勢な炭素を含み、前記ディスク上に第2炭素層を堆積し、前記第2炭素層は約60%又はそれ以下のSP3炭素を含み、第2炭素層のSP3内容は第1炭素層のSP3内容よりも少ない、各ステップを含む方法。

IPC (4件)：

G11B 5/84 , C23C 14/34 , C23C 16/26 , G11B 5/72

FI (5件)：

G11B 5/84 B , G11B 5/84 C , C23C 14/34 N , C23C 16/26 , G11B 5/72

Fターム (26件)：

4K029AA02 , 4K029AA09 , 4K029BA34 , 4K029BB02 , 4K029BC01 , 4K029BC02 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030LA20 , 5D006AA02 , 5D006AA05 , 5D006AA06 , 5D112AA07 , 5D112BC05 , 5D112FA01 , 5D112JJ03

引用特許：

審査官引用 (13件)

電気用部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-227570 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
炭素膜および炭素膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-148977 出願人：電気化学工業株式会社
磁気記録媒体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-005031 出願人：松下電器産業株式会社

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