特許
J-GLOBAL ID：200903046864959976

磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法

発明者：
浅尾 吉昭

浅尾 吉昭 について

, 
與田 博明

與田 博明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266936
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086195
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極20と、この下部電極20の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子23と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極20と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜24とを具備する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下部電極と、 前記下部電極の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の前記側面を覆い、前記下部電極と同一の平面形状であり、スパッタ法、プラズマCVD法、ALD法のいずれかで形成された保護膜と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 H ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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