レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174984
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【解決手段】光酸発生剤として下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(R1は炭素数1〜10のアルキル基、あるいは炭素数6〜14のアリール基を示す。R2は炭素数1〜6のアルキル基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10のアルキル基、あるいは炭素数6〜14のアリール基を示す。pは0〜4の整数、qは1〜5の整数であり、1≦p+q≦5である。nは1又は2であり、mは0又は1である。また、n+m=2である。)【効果】本発明のスルホニルジアゾメタンを用いた化学増幅型レジスト材料は、分子内にカルボン酸エステル基を含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮する。

請求項（抜粋）：

光酸発生剤として下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基、あるいは炭素数6〜14の置換もしくは非置換のアリール基を示す。R2は同一でも異なってもよく、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。GはSO2又はCOを示し、R3は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基、あるいは炭素数6〜14の置換もしくは非置換のアリール基を示す。pは0〜4の整数、qは1〜5の整数であり、1≦p+q≦5である。nは1又は2であり、mは0又は1である。また、n+m=2である。)

IPC (14件)：

G03F 7/004 503 , C07C381/14 , C08K 5/09 , C08K 5/13 , C08K 5/16 , C08K 5/41 , C08K 5/43 , C08L 25/02 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C08L 33/04 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/26

FI (14件)：

G03F 7/004 503 A , C07C381/14 , C08K 5/09 , C08K 5/13 , C08K 5/16 , C08K 5/41 , C08K 5/43 , C08L 25/02 , C08L 25/18 , C08L 33/02 , C08L 33/04 , C08L 35/00 , G03F 7/039 601 , G03F 7/26

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-103854
特開平4-217249
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-141606 出願人：日本ゼオン株式会社

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