特許
J-GLOBAL ID：200903047021845916
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090855
公開番号（公開出願番号）：特開2006-277785
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 多値データと共に書かれる2値データの信頼性向上を図った不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 しきい値電圧により規定されるデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルアレイの第1の領域に複数の書き込みステップで多値データが書き込まれ、前記メモリセルアレイの第2の領域に前記多値データと同じ複数の書き込みステップでかつそれらのビットデータに従ってしきい値レベルが制御される第1論理状態と第2論理状態により定義される2値データが書き込まれる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
しきい値電圧により規定されるデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセルアレイの第1の領域に複数の書き込みステップで多値データが書き込まれ、
前記メモリセルアレイの第2の領域に前記多値データと同じ複数の書き込みステップでかつそれらのビットデータに従ってしきい値レベルが制御される第1論理状態と第2論理状態により定義される2値データが書き込まれる
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 641
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 622E
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA08
, 5B125CA11
, 5B125DA03
, 5B125DA06
, 5B125DA09
, 5B125DB08
, 5B125DB19
, 5B125DC03
, 5B125DD09
, 5B125DE15
, 5B125EA05
, 5B125EA10
, 5B125EB01
, 5B125EB07
, 5B125EE04
, 5B125EE08
, 5B125EE12
, 5B125EE17
, 5B125EE20
, 5B125FA01
, 5B125FA04
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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