二進モードでの多状態不揮発性メモリシステムの選択的動作

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529480
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503640
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

通常はそのメモリセルを多数の記憶状態で動作するフラッシュ形不揮発性メモリシステムに、代わりにメモリセル・ブロックのうちの選択された数個または全部を2つの状態に動作する能力が提供される。その2つの状態は、多数の状態のうちの最も離れている状態であるように選択され、このことにより増大したマージンが2状態動作時に提供される。このことにより、多状態動作が提供する高密度のデータ記憶よりも高速のプログラミングおよび長い動作寿命という利点の方がより望ましいときに、2状態に動作されるメモリセルの高速プログラミングおよび長い動作寿命を許容する。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルの複数のブロックを少なくとも4つのしきい値レベル状態または正確に2つのしきい値レベル状態に制御可能に動作する方法であって、前記少なくとも4つのしきい値レベル状態はメモリセル動作しきい値ウィンドウ全体の中で離れ、前記正確に2つのしきい値レベル状態は、この4つのしきい値レベル状態のうちの前記動作しきい値ウィンドウの中で互いに最も離れているしきい値レベル状態であることを特徴とする方法。

IPC (8件)：

G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (8件)：

G11C17/00 641 , H01L27/10 481 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , G11C17/00 611A , G11C17/00 611E , G11C17/00 633C , G11C17/00 622E

Fターム (44件)：

5B125BA01 , 5B125CA27 , 5B125DB08 , 5B125DB09 , 5B125DB12 , 5B125DB18 , 5B125DC03 , 5B125DE11 , 5B125EA05 , 5B125EB01 , 5B125EG17 , 5B125FA05 , 5B125FA06 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP48 , 5F083EP76 , 5F083ER03 , 5F083ER14 , 5F083ER22 , 5F083JA04 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC01 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

記憶回路、記憶回路から情報を読み出す方法および記憶回路に情報を書き込む方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-018819 出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
半導体集積回路及びデータ処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258215 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098628 出願人：株式会社東芝

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