不揮発性メモリデバイス、メモリアレイ、および、不揮発性メモリに情報ビットとしてコード化された情報を記憶する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287008
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117686
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】メモリのある部分では高速で信頼性の高い情報読出しが可能であり、メモリの他の部分では情報記憶密度が高いメモリデバイスを実現する。【解決手段】マルチレベルメモリデバイスは、2より大きい所定のレベル数でプログラムできるセルを含むメモリセクション(マルチレベルアレイ)とレベル数2でプログラムできるセルを含むメモリセクション(バイレベルアレイ)とを有する。マルチレベルアレイは、例えばメモリデバイスを含むシステムの動作コードの記憶のような読出しスピードが重要ではない高密度データの記憶に使われる。一方、バイレベルアレイは、例えばパーソナルコンピュータのBIOSのような読出しの高速性および信頼性を必須とするデータおよびキャッシュメモリに記憶されるデータの記憶に使われる。プログラミング、試験指示の書込みおよびメモリデバイスの動作に必要な全機能に専用である回路部分は、両アレイに共通である。

請求項（抜粋）：

メモリエリアを有する不揮発性メモリデバイスであって、複数のメモリセルであって、前記メモリエリアが少なくとも2つの部分の異なる記憶容量を有し、前記記憶容量のサイズは前記メモリデバイス自体内の回路によって選択的に変更することができるメモリセルを備えることを特徴とする不揮発性メモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 601 Z , G11C 17/00 641 , G11C 17/00 634 A

Fターム (10件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD02 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AE00 , 5B025AE05 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-345221 出願人：ソニー株式会社
セル当たり単一ビットからセル当たり複数ビットへのダイナミック・メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-500973 出願人：インテル・コーポレーション
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-249126 出願人：三星電子株式会社

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