特許
J-GLOBAL ID：200903047171700002

欠陥認識方法、欠陥観察方法、及び荷電粒子ビーム装置

発明者：
一宮 豊

一宮 豊 について

, 
田代 純一

田代 純一 について

, 
佐藤 誠

佐藤 誠 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-285003
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111318
出願日： 2007年11月01日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程(S4)と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程(S5)と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程(S6)とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、前記観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程と、 前記二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、前記観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程と、 前記画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から前記観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程とを備え、 さらに、前記観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームを前記照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、前記二次荷電粒子検出工程、前記画像形成工程、前記欠陥認識工程を備えることを特徴とする欠陥認識方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/317 ,  G01N 23/225
FI (4件)：
H01L21/66 J ,  H01J37/28 B ,  H01J37/317 D ,  G01N23/225
Fターム (24件)：
2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA01 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  5C033UU02 ,  5C034DD06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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