特許
J-GLOBAL ID：200903093092835182

荷電粒子ビーム検査方法および装置

発明者：
西山 英利

西山 英利 について

, 
須賀 三雄

須賀 三雄 について


出願人/特許権者：
日本電子株式会社

日本電子株式会社 について


代理人 (2件)： 井島 藤治 ,  鮫島 信重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074578
公開番号（公開出願番号）：特開2007-248360
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。【解決手段】第1の撮影領域および第1の照射条件を用いた低倍率の第1の欠陥画像情報86および参照画像情報87を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第2の撮影領域および第2の照射条件を設定し、すべての第2の欠陥画像情報88を取得することとしているので、第1および第2の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第2の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
試料の表面に荷電粒子ビームを走査し、前記表面の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法であって、 前記表面に指定される第1の指定領域に第1の照射条件を有する荷電粒子ビームの走査を行い、前記第1の指定領域が有する第1の指定領域画像情報を取得し、 前記第1の指定領域画像情報に基づいて、前記表面に欠陥が存在する際に前記欠陥の高精度欠陥位置情報を算定し、 前記高精度欠陥位置情報に基づいて、前記欠陥を含み、かつ前記第1の指定領域を縮小した第2の撮影領域および前記第2の撮影領域の撮影を行う際の第2の照射条件を設定し、 前記第2の撮影領域に前記第2の照射条件を有する荷電粒子ビームの走査を行い、前記第2の撮影領域が有する第2の欠陥画像情報の取得を行う荷電粒子ビーム検査方法。
IPC (4件)：
G01N 23/225 ,  H01J 37/28 ,  G01B 15/04 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
G01N23/225 ,  H01J37/28 B ,  G01B15/04 K ,  H01L21/66 J
Fターム (52件)：
2F067AA03 ,  2F067AA45 ,  2F067BB02 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE10 ,  2F067GG08 ,  2F067HH06 ,  2F067HH08 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK08 ,  2F067LL15 ,  2F067PP12 ,  2F067QQ02 ,  2F067RR35 ,  2F067SS02 ,  2F067SS13 ,  2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001DA01 ,  2G001FA01 ,  2G001GA03 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001GA11 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA13 ,  2G001JA16 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001QA02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ39 ,  5C033UU08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基体検査方法及び装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-212484   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
審査官引用 (10件)
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