特許
J-GLOBAL ID：200903047669684705

基板処理装置及び基板処理方法

発明者：
牛島 満

牛島 満 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-013236
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218007
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト膜を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。【解決手段】 (a)に示すように、移動機構94により溶剤ノズル95からシンナを吐出しながら基板Gの各辺に沿って、例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみのレジスト膜70を取り除き、アドヒージョン処理が行われた際に形成されたHMDSガスによる処理膜80を露出させる。次に、(b)に示すように、光ファイバー81により紫外線を照射しながら基板Gの各辺に沿って、例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみに露出した処理膜80を除去する。これにより、基板G周縁部に露出した処理膜80からアミン系ガスを発生させることがないので露光装置における露光レンズやミラー、その他の機器類を白濁させることを防止できる。
請求項（抜粋）：
処理膜とこの処理膜上に塗布された塗布膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部の塗布膜を除去する塗布膜除去手段と、前記塗布膜が除去された基板周縁部に露出した前記処理膜を除去する処理膜除去手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (7件)：
H01L 21/027 ,  B05B 13/04 ,  B05C 11/10 ,  B05D 3/10 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 645
FI (7件)：
B05B 13/04 ,  B05C 11/10 ,  B05D 3/10 N ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/304 643 B ,  H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/30 577
Fターム (38件)：
2H096AA25 ,  2H096CA01 ,  2H096DA02 ,  2H096DA04 ,  2H096LA30 ,  4D075BB20Y ,  4D075BB24Y ,  4D075BB45Y ,  4D075BB46Y ,  4D075BB63Y ,  4D075BB65Y ,  4D075BB69Y ,  4D075CA47 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4F035AA04 ,  4F035CA01 ,  4F035CA05 ,  4F035CC01 ,  4F035CD05 ,  4F035CD11 ,  4F035CD18 ,  4F042AA02 ,  4F042AA10 ,  4F042CC03 ,  4F042CC04 ,  4F042CC10 ,  4F042CC12 ,  4F042CC15 ,  4F042DA01 ,  4F042DB04 ,  4F042DB41 ,  5F046BA07 ,  5F046CC15 ,  5F046LA14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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