特許
J-GLOBAL ID：200903047746946890

半導体装置の製造方法

発明者：
小此木 堅祐

小此木 堅祐 について

, 
大湯 靜憲

大湯 靜憲 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-015022
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209890
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 ソース・ドレイン拡散層に残留する空孔欠陥に対する処理を行うことにより、欠陥起因の接合リーク電流を低減する半導体装置の製造方法を提供し、これによってDRAMやSRAM等の半導体記憶装置の情報保持特性を向上させるために好適な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板にドーパントを注入し、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、酸化性ガス雰囲気中での熱処理によって、前記ソース・ドレイン拡散層内のドーパントを拡散させる工程とを順次に有する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、 半導体基板にドーパントを注入し、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、 酸化性ガス雰囲気中での熱処理によって、前記ソース・ドレイン拡散層内のドーパントを拡散させる工程とを、 順次に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108
FI (5件)：
H01L29/78 301S ,  H01L21/265 602A ,  H01L29/78 301L ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 621C
Fターム (59件)：
5F083AD01 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083BS04 ,  5F083BS16 ,  5F083GA06 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR46 ,  5F083ZA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AB01 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG22 ,  5F140BG39 ,  5F140BG50 ,  5F140BG53 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH19 ,  5F140BH22 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK27 ,  5F140BK28 ,  5F140BK38 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE06
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198227   出願人：株式会社日立製作所, 日本電気株式会社
  • 特許第3212150号公報
審査官引用 (12件)
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