特許
J-GLOBAL ID：200903047850286681

電子デバイス用基体及びその製造方法並びに電子デバイス

発明者：
樋口 天光

樋口 天光 について

, 
岩下 節也

岩下 節也 について

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宮澤 弘

宮澤 弘 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194243
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153233
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】基板に再構成表面や水素終端表面を形成する処理が不要で、かつ、基板上に形成したバッファ層が(100)配向でエピタキシャル成長してなる電子デバイス用基体及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る電子デバイス用基体100は、シリコンからなる基板11と、基板11の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された、フルオライト構造を有する第一バッファ層12及び第二バッファ層13、層状ペロブスカイト構造を有する第一酸化物電極層14、および単純ペロブスカイト構造を有する第二酸化物電極層15とから構成されている。前記第一バッファ層12は、SiO昇華領域で自然酸化膜被覆Siに金属プラズマを照射してSiO2成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコンからなる基板と、該基板の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された第一バッファ層、第二バッファ層、第一酸化物電極層および第二酸化物電極層とから構成されており、 前記第一バッファ層はフルオライト構造を有する第一の金属酸化物、 前記第二バッファ層はフルオライト構造を有する第二の金属酸化物、 前記第一酸化物電極層は層状ペロブスカイト構造を有する第三の金属酸化物、 前記第二酸化物電極層は単純ペロブスカイト構造を有する第四の金属酸化物、であることを特徴とする電子デバイス用基体。
IPC (4件)：
H01L27/105 ,  C23C16/40 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22
FI (4件)：
H01L27/10 444C ,  C23C16/40 ,  H01L41/08 D ,  H01L41/22 Z
Fターム (12件)：
4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  5F083FR01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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