特許
J-GLOBAL ID：200903047906054460

半導体集積回路装置

発明者：
水野 弘之

水野 弘之 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119032
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076873
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】チップの動作速度を維持あるいは向上するため、MOSトランジスタのしきい値電圧を低く設定し、ゲート酸化膜厚を薄膜化する。しかし、サブスレッショルドリーク電流やゲートリーク電流による消費電力の増加により、チップの消費電力は増加傾向にある。【解決手段】複数の回路ブロックCKTは消費電力の異なる複数の動作状態を持ち、電力管理回路CHPKNLは、複数の回路ブロックの動作状態を、動作状態の遷移に伴う電力消費を考慮して、半導体集積回路装置CHP1の消費電流が決められた許容値を超えないように決定する。
請求項（抜粋）：
複数の回路ブロックと電力制御回路とを有する半導体集積回路装置であって、上記複数の回路ブロックのそれぞれは少なくとも第1の状態と第2の状態とを含む複数の動作状態をもち、上記第1の状態においては上記回路ブロックはその機能に従って動作し、上記第2の状態においては上記回路ブロックの動作が停止され、上記電力制御回路は、上記複数の回路ブロックのそれぞれの動作状態を上記半導体集積回路装置の消費電力の許容値を超えないように決定することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H03K 19/00 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03K 19/096
FI (3件)：
H03K 19/00 A ,  H03K 19/096 B ,  H01L 27/04 A
Fターム (24件)：
5F038AV06 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD06 ,  5F038CD14 ,  5F038CD15 ,  5F038CD16 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF06 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5J056AA00 ,  5J056BB17 ,  5J056BB49 ,  5J056CC03 ,  5J056CC14 ,  5J056DD13 ,  5J056DD29 ,  5J056DD43 ,  5J056EE04 ,  5J056FF01 ,  5J056FF07 ,  5J056HH00
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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