特許

J-GLOBAL ID：200903071942935374

III族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶及び半導体デバイス及びシステム

発明者： 岩田 浩和 ,  皿山 正二 ,  山根 久典 ,  島田 昌彦 ,  青木 真登
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011536
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307322
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】 実用的な大きさの高品質なIII族窒化物結晶を成長させることが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した溶液25からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液25に、該溶液25中への窒素の溶解度を増加させる物質を含ませる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した溶液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液に、該溶液中への窒素の溶解度を増加させる物質を含ませることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (8件)：

C30B29/38 ,  C30B11/00 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  C30B11/00 Z ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L31/10 A ,  H01L29/80 H

Fターム (40件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA12 ,  4G077MB12 ,  4G077MB32 ,  4G077MB35 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175577   出願人：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277045   出願人：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典

審査官引用 (3件)

• ガリウム含有窒化物のバルク単結晶の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-143449   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221628   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭60-122797
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of bulk GaN single crystals using Li-Na mixed flux system