特許

J-GLOBAL ID：200903048417027295

光半導体装置

発明者： 高橋 強 ,  北村 修
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160507
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339094
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置のダミーホトダイオードにおいて、ホトダイオードから発生する空乏層外生成キャリアの収集量を向上させ、隣接するホトダイオードにおける回路の誤動作や性能劣化を抑制することを目的とする。【解決手段】 この光半導体装置では、ダミーホトダイオード22におけるP型の単結晶シリコン基板24と第1のエピタキシャル層25との間にN+型埋め込み層34が形成される。そして、このダミーホトダイオード22をホトダイオード21、23の間に形成する。そのことで、それぞれのホトダイオード21、23で発生する空乏層外生成キャリアの収集量が向上し、お互いのホトダイオード21、23に影響を与えることを低減させるこができる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成したエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層を複数の島領域に形成する一導電型の分離領域と、前記島領域の少なくとも1つに形成したホトダイオードと、前記ホトダイオードを設けた前記島領域に隣接する島領域に設けたダミーホトダイオードとを備え、前記ダミーホトダイオードを設けた島領域の前記エピタキシャル層に逆導電型の埋め込み層を形成し、空乏層外生成キャリアを回収することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 Z

Fターム (15件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA04 ,  5F049NA17 ,  5F049NA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA03 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162412   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-345293   出願人：ソニー株式会社
• ホトダイオード内蔵半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207588   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194397   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160922   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-205564
  
• 特開平2-271666
  
• 受光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109765   出願人：シャープ株式会社