特許
J-GLOBAL ID:200903048563636422

リソグラフィマスク用の検査方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-212566
公開番号(公開出願番号):特開2008-262148
出願日: 2007年08月17日
公開日(公表日): 2008年10月30日
要約:
【課題】レチクル上の欠陥を発見する装置及び方法を開示する。【解決手段】検査装置を使用してレチクルの関連強度画像を、少なくとも一対取得する202。強度画像は、レチクルに対する異なる焦点設定が画像のそれぞれに対して施され、画像の2つの焦点値の間に一定の焦点オフセットが生じるように取得される。こうした画像を分析し、レチクルの透過関数を求める204。この透過関数をリソグラフィシステムのモデルに入力し、レチクルパターンの空間像を生成する。生成した空間像は、フォトレジストモデルに入力し、レチクルを使用して基板に印刷される画像パターンに対応する「レジストモデル化画像」を作成できる。このレジストモデル化画像を基準画像と比較し、欠陥情報を入手する206。【選択図】図2
請求項(抜粋):
リソグラフィにおいて有意なレチクル欠陥を判断する方法であって、 レチクル欠陥を発見するためにレチクルを検査するステップと、 各レチクル欠陥の少なくとも2枚の画像から、実質的に一定の焦点オフセットを前記少なくとも2枚の画像の焦点設定間で維持して、レチクル欠陥毎にマスク透過関数を取得するステップと、 前記レチクルを使用してリソグラフィツールにより製造したウェーハの現像後フォトレジストにおいて欠陥の影響を受けるパターンを計算するために、各レチクル欠陥の前記取得済みマスク透過関数をシミュレーションソフトウェア及び/又はハードウェアに入力するステップと、 レチクル欠陥毎に計算された、前記欠陥の影響を受けるパターンに基づいて、リソグラフィにおいて有意な何らかのレチクル欠陥が存在するかを判断するステップと、を備える方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F1/08 S ,  H01L21/30 502P
Fターム (6件):
2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BD02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD15 ,  2H095BD23
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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