特許
J-GLOBAL ID：200903048707842367

半導体装置

発明者：
松下 憲一

松下 憲一 について

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井上 智樹

井上 智樹 について

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齋藤 渉

齋藤 渉 について

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大村 一郎

大村 一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100515
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298072
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】逆回復特性を向上させつつ逆回復時の耐量を向上させたPiNダイオードを実現する。【解決手段】PiNダイオードにおいて、N- ベース層1 と、N- ベース層の第1主表面に形成されたPエミッタ層3 と、N- ベース層の第2主表面に形成されたPエミッタ層2 と、Pエミッタ層に接してN- ベース層中に選択的に形成されたN型ピラー層6 と、N- ベース層とN型ピラー層に接してN- ベース層中に形成されたP型ピラー層7 とを具備する。
請求項（抜粋）：
第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の第1主表面に形成された第1導電型エミッタ層と、前記第1導電型ベース層の第2主表面に形成された第2導電型エミッタ層と、前記第2導電型エミッタ層に接して前記第1導電型ベース層中に選択的に形成された第1導電型ピラー層と、前記第1導電型ベース層と前記第1導電型ピラー層に接して前記第1導電型ベース層中に形成された第2導電型ピラー層とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3件)：
H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/48 F
Fターム (11件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF10 ,  4M104FF32 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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