特許
J-GLOBAL ID：200903048714344801
パワー半導体モジュールの製造方法、パワー半導体モジュールの製造装置、パワー半導体モジュール、及び接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-285519
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117428
出願日： 2007年11月01日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】熱抵抗が小さく、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】第1及び第2の絶縁基板と、第1及び第2の絶縁基板の対向する各面と直接又は他の素子を介して接合されたパワー半導体素子と、第1及び第2の絶縁基板を両側から挟み込むように接合時に流動性を有する接合材によりそれぞれ接合された第1及び第2の放熱体と、を含むパワー半導体モジュールを製造する際に、接合材に加えられる重みを弾性部材を用いて軽減させた状態で、第1の絶縁基板と第1の放熱体、及び第2の絶縁基板と第2の放熱体をそれぞれ接合する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1及び第2の絶縁基板と、前記第1及び第2の絶縁基板の対向する各面と直接又は他の素子を介して接合されたパワー半導体素子と、前記第1及び第2の絶縁基板を両側から挟み込むように接合時に流動性を有する接合材によりそれぞれ接合された第1及び第2の放熱体と、を含むパワー半導体モジュールの製造方法であって、
前記接合材に加えられる重量を弾性部材を用いて軽減させた状態で、前記第1の絶縁基板と前記第1の放熱体、及び前記第2の絶縁基板と前記第2の放熱体をそれぞれ接合する接合工程を含む、
ことを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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