特許
J-GLOBAL ID：200903051728415079

パワー半導体モジュール

発明者：
舟越 砂穂

舟越 砂穂 について

, 
石川 勝美

石川 勝美 について

, 
曽我 太佐男

曽我 太佐男 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075883
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251076
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】熱疲労に対する信頼性を高めたパワー半導体モジュールを提供すること。【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、素子の下側に接合した下側電極と、下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第1の絶縁基板と、パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第2の絶縁基板と、第1の絶縁基板の下側に接合した第1の放熱板と、第2の絶縁基板の上側に接合した第2の放熱板とを備え、パワー半導体素子と第1の絶縁基板と第2の絶縁基板とを樹脂で封止した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
パワー半導体素子と、 該パワー半導体素子の下側に接合した下側電極と、 該下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第1の絶縁基板と、 前記パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、 該上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第2の絶縁基板と、 前記第1の絶縁基板の下側に接合された第1の放熱板と、 前記第2の絶縁基板の上側に接合された第2の放熱板とを備え、 前記パワー半導体素子と前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板とを樹脂で封止したことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (1件)：
H01L 23/473
FI (1件)：
H01L23/46 Z
Fターム (9件)：
5F136CB06 ,  5F136DA07 ,  5F136DA22 ,  5F136DA27 ,  5F136EA14 ,  5F136EA16 ,  5F136FA03 ,  5F136FA22 ,  5F136FA41
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197173   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (19件)
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