特許
J-GLOBAL ID：200903048909623179

半導体基板、半導体装置、及びそれらの製造方法

発明者：
▲高▼藤 裕

▲高▼藤 裕 について

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福島 康守

福島 康守 について

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守口 正生

守口 正生 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (4件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所 ,  原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093694
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285850
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 大型絶縁基板に非単結晶Si半導体素子と単結晶Si半導体素子とを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置を製造する場合に、単結晶Si部分の製造工程を簡略化し、かつ大型絶縁基板に転写した後、高精度のフォトリソグラフィなしに微細な単結晶Si半導体素子の素子分離を実現し得る半導体基板、半導体装置、及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 チャネル領域17、ソース領域4及びドレイン領域5を含む活性層6を有し、ウエル構造及びチャネルストップ領域を有しない単結晶Siウエハ8と、単結晶Siウエハ8上に形成されたゲート絶縁膜3と、ゲート絶縁膜3の上に形成されたゲート電極2と、活性層6の周囲の単結晶Siウエハ8上に形成された、ゲート絶縁膜3よりも膜厚の厚いLOCOS酸化膜7と、ゲート電極2及びLOCOS酸化膜7上に形成された平坦化絶縁膜1を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む活性層を有し、ウエル構造及びチャネルストップ領域を有しない単結晶Si基板と、 上記単結晶Si基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 上記活性層の周囲の上記単結晶Si基板上に形成された、上記ゲート絶縁膜よりも膜厚の厚いLOCOS酸化膜と、 上記ゲート電極及びLOCOS酸化膜上に形成された絶縁膜とを有することを特徴とする半導体基板。
IPC (13件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786
FI (12件)：
H01L29/78 627D ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 621 ,  H01L21/94 A ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 M ,  H01L27/08 321B ,  H01L27/08 102A
Fターム (120件)：
2H092GA12 ,  2H092GA24 ,  2H092GA59 ,  2H092JA23 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB41 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA01 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA23 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4M108AA01 ,  4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AB13 ,  4M108AC01 ,  4M108AC20 ,  4M108AC34 ,  4M108AD13 ,  4M108AD16 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20 ,  5F032AA06 ,  5F032AA13 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA04 ,  5F032DA21 ,  5F032DA22 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE08 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F110AA04 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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