特許
J-GLOBAL ID：200903073033811759
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297972
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせSOI構造を有する半導体装置を低温で製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 素子が形成された基板10上に絶縁膜34を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜34を研磨する研磨工程とを有し、絶縁膜形成工程と研磨工程とを繰り返し行って前記絶縁膜34、36より成る平坦化層37を形成する平坦化層形成工程と、加熱して、平坦化層37に支持基板を接着する接着工程と、素子が形成された基板10の基板12側から研削して基板12を薄膜化する薄膜化工程とを有している。
請求項（抜粋）：
素子が形成された基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を研磨する研磨工程とを有し、前記絶縁膜形成工程と前記研磨工程とを繰り返し行って前記絶縁膜より成る平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、加熱して、前記平坦化層に支持基板を接着する接着工程と、前記素子が形成された基板の前記基板側から研削して前記基板を薄膜化する薄膜化工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/12
, H01L 21/304 622
, H01L 21/762
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/12 B
, H01L 21/304 622 W
, H01L 27/08 331 E
, H01L 21/76 D
, H01L 27/08 321 B
, H01L 29/78 627 D
