特許
J-GLOBAL ID：200903049082854155

半導体装置の製造方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311057
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138260
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置をより薄型に構成することができると共に、封止樹脂を使用することなく、半導体装置とプリント配線基板との間の熱ストレスを確実に緩和し、接合部分の強度を高めてフリップチップ実装における接続信頼性を高めるようにした半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体装置の電極パッド上にはんだバンプを形成し、前記はんだバンプの側面を包囲するように、前記半導体装置の電極パッド側の表面に封止樹脂を充填し、前記半導体装置を構成する半導体基板の裏面に対して薄型化加工を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極パッド上にはんだバンプを形成する第1の段階と、前記はんだバンプの側面を包囲するように、前記半導体装置の電極パッド側の表面に封止樹脂を充填する第2の段階と、前記半導体装置を構成する半導体基板の裏面に対して薄型化加工を行なう第3の段階とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/56
FI (9件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 604 H
Fターム (12件)：
5F004AA16 ,  5F043AA02 ,  5F043BB03 ,  5F043DD16 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061CA10
引用特許：
審査官引用 (9件)
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