特許
J-GLOBAL ID：200903049316711817
JBSおよびその製造方法ならびにショットキーバリアダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
榊原 弘造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-008136
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196775
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。【解決手段】ショットキー接合とPN接合とが並存したJBSにおいて、ガードリング部105の内側のN-層103中に所定の間隔をあけて複数のP層104を配列し、ガードリング部105の表面および複数のP層104の表面のうちの一部から重金属を拡散させ、N-層103の表面からは重金属を拡散させない。詳細には、例えばガードリング部105の表面から重金属を拡散させ、ガードリング部105の内側のP層104の表面からは重金属を拡散させない。あるいは、例えばガードリング部105の内側に配列されたP層104の表面の一部から重金属を拡散させ、ガードリング部105の表面からは重金属を拡散させない。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ショットキー接合とPN接合とが並存したJBSにおいて、ガードリング部の内側のN-層中に所定の間隔をあけて複数のP層を配列し、前記ガードリング部の表面および前記複数のP層の表面のうちの一部から重金属を拡散させ、前記N-層の表面からは重金属を拡散させないことを特徴とするJBS。
IPC (4件)：
H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 29/861
, H01L 21/329
H01L29/48 F
, H01L29/91 J
, H01L29/91 A
, H01L29/91 C
, H01L29/91 L
4M104CC03
, 4M104GG03
, 4M104HH20
出願人引用 (9件)
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特公昭59-35183号公報
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特公昭59-49714号公報
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半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-197229
出願人：オリジン電気株式会社
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審査官引用 (2件)
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