特許
J-GLOBAL ID：200903049348509319

半導体装置およびその製造方法

発明者：
藤木 恒夫

藤木 恒夫 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148110
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324584
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性に優れた配線構造およびこの配線構造を少ない工程数で形成する形成方法を提供する。【解決手段】第1絶縁層102が有する下層溝の内面に第1拡散防止膜104を介して埋め込み形成された下層配線105と、下層配線105上に形成された高融点金属または高融点金属化合物からなる層間拡散防止膜106と、第2絶縁層108および層間拡散防止膜106を貫通して下層配線105に達するビアホール109の内面に形成された導電性の第2拡散防止膜112と、この第2拡散防止膜112を介してビアホール内に埋め込み形成された導電体114とを備え、ビアホール底部における下層配線105の上面から第2絶縁層108の側面にわたって層間拡散防止膜106の構成材料からなる付着膜106aが形成されたことを特徴とする配線構造。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1絶縁層と、この第1絶縁層が有する下層溝の内面に形成された第1拡散防止膜と、この第1拡散防止膜を介して前記下層溝内に埋め込み形成された下層配線と、前記下層配線上に形成された高融点金属または高融点金属化合物からなる層間拡散防止膜と、前記第1絶縁層および層間拡散防止膜の上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層および層間拡散防止膜を貫通して下層配線に達するビアホールの内面に形成された導電性の第2拡散防止膜と、この第2拡散防止膜を介してビアホール内に埋め込み形成され導電体とを備え、前記ビアホール底部における下層配線の上面から第2絶縁層の側面にわたって層間拡散防止膜の構成材料からなる付着膜が形成されたことを特徴とする配線構造。
IPC (1件)：
H01L 21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (63件)：
5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX28 ,  5F033XX31
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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