貫通配線の形成方法及び金属充填方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331730
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133410
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板での貫通配線の形成等にあっては、貫通孔全体に金属を隙間無く充填できる技術の開発が求められていた。【解決手段】加熱溶融した溶融金属中に基板10を挿入して該基板10の貫通孔11に溶融金属を充填するにあたり、この基板10の少なくとも一方の面13上に形成した犠牲層15aに、該犠牲層15aを貫通して基板10の貫通孔11に連通する連通孔16を形成し、基板10を溶融金属から引き上げる際の溶融金属20の流出が生じても、連通孔16内の溶融金属の収容量によって、貫通孔11内の金属充填状態に影響を与えないようにする貫通配線の形成方法及び金属充填方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基板(10)に貫通されて前記基板の表面及び裏面に開口する貫通孔(11)に金属を充填して貫通配線(22)を形成する方法であって、前記基板の表面(13)及び裏面(14)の内の少なくとも一方に犠牲層(15a、15b)を形成し、次いで、前記犠牲層に前記貫通孔に連通する連通孔(16、16a)を貫通形成して、犠牲層と基板とを貫通する充填孔(H、H1)を形成した後、前記基板を溶融金属槽(19)内に貯留されている溶融金属(20)中に挿入して前記充填孔に溶融金属を充填せしめ、次いで、基板の他方の面の側における前記充填孔の開口部を封止材(17)で塞いだ状態で、前記基板を前記溶融金属から引き上げて冷却することを特徴とする貫通配線の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/768 , B22D 19/00 , B22D 19/16 , B22D 21/00 , B22D 23/00 , B22D 23/04 , B22D 25/02 , H01L 21/288 , H05K 3/40

FI (10件)：

B22D 19/00 E , B22D 19/00 W , B22D 19/16 Z , B22D 21/00 Z , B22D 23/00 F , B22D 23/04 Z , B22D 25/02 G , H01L 21/288 Z , H05K 3/40 K , H01L 21/90 A

Fターム (18件)：

4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD31 , 5E317AA27 , 5E317BB04 , 5E317BB19 , 5E317CC25 , 5E317CC60 , 5E317CD32 , 5E317GG17 , 5F033GG03 , 5F033JJ13 , 5F033MM30 , 5F033PP26 , 5F033XX02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-245855 出願人：ローム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-242605 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051209 出願人：ローム株式会社

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