特許
J-GLOBAL ID:200903024634027523
基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-196560
公開番号(公開出願番号):特開2003-016857
出願日: 2001年06月28日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 低温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低抵抗化する方法、特に、プラスチック基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法を提供すること。【解決手段】 基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
請求項(抜粋):
基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
IPC (4件):
H01B 13/00 503
, C23C 14/58
, H01L 21/3205
, H01L 31/04
FI (5件):
H01B 13/00 503 B
, C23C 14/58 C
, H01L 21/88 M
, H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
Fターム (34件):
4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA45
, 4K029BB10
, 4K029BC09
, 4K029CA02
, 4K029CA04
, 4K029CA06
, 4K029EA05
, 4K029EA08
, 4K029GA01
, 5F033GG04
, 5F033HH38
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP20
, 5F033QQ53
, 5F033QQ73
, 5F033WW03
, 5F033XX10
, 5F051CA12
, 5F051CA13
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA24
, 5G323BA02
, 5G323BB04
, 5G323BB05
, 5G323BC03
引用特許:
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