特許
J-GLOBAL ID：200903049727694271

半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
山本 圭

山本 圭 について

, 
高平 宜幸

高平 宜幸 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155343
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311292
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】ジャンクション・ダウンによりマウントしても、動作電圧の上昇を抑制することにより、高出力で高信頼動作が可能な半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置100aは、半導体レーザ素子117と被マウント基台とワイヤ116aとを備える。半導体レーザ素子117は、基板100と、基板100上に形成された活性層104と、活性層104上に形成された他の層117aと、他の層117a上に形成された電極とを含む。他の層117aにおける活性層104に対向する側と反対側の表面には、リッジ部と、リッジ部117bを挟んでリッジ部117bと平行に延びるダミーリッジ部117cとが形成される。リッジ部117bの頂面上に形成された電極と被マウント基台との間には空洞130が形成され、半導体レーザ素子117におけるリッジ部117bの頂面上に形成された電極は空洞130に露出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された他の層と、前記他の層上に形成された電極とを含み、前記他の層における前記活性層に対向する側と反対側の表面には、リッジ部と、前記リッジ部を挟んで前記リッジ部と平行に延びるダミーリッジ部とが形成された半導体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子における前記他の層と固定される被マウント基台と、 前記半導体レーザ素子の前記基板に電気的に接続されたワイヤとを備え、 前記リッジ部の頂面上に形成された前記電極と前記被マウント基台との間には空洞が形成され、前記半導体レーザ素子における前記リッジ部の頂面上に形成された前記電極は前記空洞に露出している、半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/022
FI (1件)：
H01S5/022
Fターム (14件)：
5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173MA05 ,  5F173MB01 ,  5F173MC05 ,  5F173MC12 ,  5F173MD03 ,  5F173MD07 ,  5F173MD16 ,  5F173MD52 ,  5F173MD59 ,  5F173MD63 ,  5F173MD85 ,  5F173ME03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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