半導体レーザ素子およびその製造方法および光ディスク装置および光伝送システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山崎宏 , 前田厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254549
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167196
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】簡単な構成で低閾値電流で高出力動作ができると共に、信頼性が高く低コストな半導体レーザ素子とその製造方法および光ディスク装置および光伝送システムを提供する。【解決手段】ドーピング濃度が1×1018cm-3以上のp+-GaAsコンタクト層113上およびドーピング濃度が1×1017cm-3以下のp-AlGaAs第2上クラッド層109上にp側電極114を形成する。p側電極114と接する各々の半導体層の界面に、p側電極114の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層115を形成する。コンタクト層113とp側電極114との化合物層115を介したオーミック接合により低コンタクト抵抗が得られる。第2上クラッド層109とp側電極114との化合物層115を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板と、前記第1導電型の基板上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の半導体層群とを有する半導体レーザ素子において、前記第2導電型の半導体層群は、少なくともドーピング濃度が1×1017cm-3以下の低濃度半導体層とドーピング濃度が1×1018cm-3以上の高濃度半導体層とを含み、前記第2導電型の半導体層群上に電極が形成され、前記電極と前記低濃度半導体層の界面に、前記電極の材料と前記低濃度半導体層の材料からなる低濃度側の化合物層が形成され、前記電極と前記高濃度半導体層の界面に、前記電極の材料と前記高濃度半導体層の材料からなる高濃度側の化合物層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/343 , G11B7/125 , H01L21/306

FI (3件)：

H01S5/343 , G11B7/125 A , H01L21/306 T

Fターム (30件)：

5D789AA37 , 5D789AA38 , 5D789AA42 , 5D789FA18 , 5D789FA20 , 5D789FA22 , 5D789NA04 , 5F043AA04 , 5F043BB08 , 5F173AA08 , 5F173AF04 , 5F173AF24 , 5F173AF38 , 5F173AF78 , 5F173AG05 , 5F173AG11 , 5F173AH03 , 5F173AH47 , 5F173AJ04 , 5F173AJ05 , 5F173AJ06 , 5F173AK02 , 5F173AK05 , 5F173AK08 , 5F173AK13 , 5F173AK24 , 5F173AP32 , 5F173AP64 , 5F173AQ12 , 5F173AR63

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-321679 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-111375号公報
特開昭62-281384号公報

審査官引用 (15件)

特開平2-281785
成長結晶基板並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-057645 出願人：株式会社東芝
特開昭61-035587

全件表示

前のページに戻る