特許
J-GLOBAL ID：200903096920059948

ドープシリコン膜の形成方法及びデバイスの製造方法

発明者：
青木 敬

青木 敬 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-033416
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228792
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 本発明は、界面特性が良好なドープシリコン膜の形成方法、及び、大掛かりな装置を必要とせず、原料の使用効率及び取扱いに優れ、廃棄物を減少できる、界面特性が良好なデバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、基板上方にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜上にドーパントを含む溶液を塗布する工程と、熱処理及び/又は光処理を行う工程と、を含む、ドープシリコン膜の形成方法を提供する。また、本発明は、前記ドープシリコン膜の形成方法を使用することを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上方にシリコン膜を形成する工程と、 前記シリコン膜上にドーパントを含む溶液を塗布する工程と、 熱処理及び/又は光処理を行う工程と、を含む、ドープシリコン膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L21/225 ,  C01B33/02 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04
FI (7件)：
H01L21/225 R ,  C01B33/02 D ,  H01L21/268 F ,  H01L31/04 V ,  H01L31/04 X ,  H01L29/78 616L ,  H01L21/26 F
Fターム (44件)：
4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072EE07 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ07 ,  4G072JJ09 ,  4G072NN25 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA20 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051GA02 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ21 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23
引用特許：
出願人引用 (6件)
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