露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤元亮輔 , 水本敦也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028120
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105453
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

【課題】解像性の良い露光方法、デバイス製造方法および露光パラメータ及びレチクルパターンを決定する決定方法を提供する。【解決手段】光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第1のパターンと、前記第1のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表す第2のパターンと、に関する情報を取得するステップと、該取得した前記第1のパターン及び前記第2のパターンの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする決定方法を提供する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第1のパターンと、前記第1のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表す第2のパターンと、に関する情報を取得するステップと、該取得した前記第1のパターン及び前記第2のパターンの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする決定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20

FI (4件)：

H01L21/30 516Z , H01L21/30 502P , G03F1/08 A , G03F7/20 521

Fターム (9件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 5F046AA25 , 5F046AA28 , 5F046BA03 , 5F046CB15 , 5F046CB23 , 5F046CB24 , 5F046DD06

引用特許：

出願人引用 (7件)

フォトマスク、フォトマスクの製造方法、露光方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-069113 出願人：ソニー株式会社
フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-034221 出願人：ソニー株式会社
露光条件出し装置と露光条件出し方法および処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197350 出願人：東京エレクトロン株式会社

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