特許
J-GLOBAL ID：200903050027554248

導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置

発明者：
上坂 裕之

上坂 裕之 について

, 
斧 高一

斧 高一 について


出願人/特許権者：
関西ティー・エル・オー株式会社

関西ティー・エル・オー株式会社 について


代理人 (3件)： 武石 靖彦 ,  村田 紀子 ,  ▲吉▼▲崎▼ 修司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201025
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047207
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置を提供しようとする。【解決手段】チャンバー11内において少なくともその一端がマイクロ波供給口12aに近接するように配置された導電体からなるターゲット16と、そのマイクロ波供給口内に配置された誘電体窓15と、前記ターゲットの表面に近接してプラズマ相を初期生成する手段と、前記ターゲットに負バイアス電圧を印加することにより前記初期生成されたプラズマ相とターゲット表面との間における低電子密度シース領域を拡大するためのバイアス電源18とを備え、プラズマ相21と低電子密度シース領域との界面における表面波励起プラズマにより、ターゲット自身又はプラズマ相に接して配置された場合の被加工材料20の表面をプラズマ加工するように構成した表面波励起プラズマの発生装置である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
導電体からなるターゲットを少なくともその一端がマイクロ波供給口に近接するように配置し、前記ターゲットの表面に近接してプラズマ相を初期生成し、前記マイクロ波供給口からマイクロ波を放出し且つ前記ターゲットに負バイアス電圧を印加することにより、プラズマ相に対向してターゲット表面の近傍に生成される電子密度の低いシース領域を拡大し、前記放出されたマイクロ波を前記シース領域とプラズマ相との境界に沿って前記一端から他端にかけて伝播させることにより、前記ターゲットを表面波アンテナとして機能させ、表面波励起プラズマを発生することを特徴とする表面波励起プラズマの発生方法。
IPC (2件)：
H05H1/46 ,  C23C14/35
FI (2件)：
H05H1/46 B ,  C23C14/35 F
Fターム (7件)：
4K029DC12 ,  4K029DC13 ,  4K029DC33 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029DC41 ,  4K029DC48
引用特許：
審査官引用 (15件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM