特許
J-GLOBAL ID：200903050188475895

液晶表示装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小路 博信

小路 博信 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285796
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128665
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型TFTを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型TFTを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に触媒元素を有する層を形成し、前記触媒元素を有する層上に第1の半導体膜を形成し、前記第1の半導体膜上に不純物元素を有する第2の半導体膜を形成した後加熱し、加熱された前記第2の半導体膜に接する第1の導電層を形成し、前記第1の導電層の一部をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極を形成し、前記第2の半導体膜の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続するゲート配線を形成し、前記絶縁膜の一部をエッチングして前記ソース電極又はドレイン電極の一部を露出した後、前記ソース電極又はドレイン電極に接続する第1の電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322
FI (5件)：
H01L29/78 627G ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 P ,  H01L29/78 627Z
Fターム (134件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA18 ,  2H092MA29 ,  2H092MA41 ,  2H092NA05 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092QA09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF24 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK28 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK39 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP26 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA12 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD18 ,  5F152CD27 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CE26 ,  5F152CE45 ,  5F152CF09 ,  5F152DD05 ,  5F152DD07 ,  5F152FF11 ,  5F152FF21
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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