特許
J-GLOBAL ID：200903050407215586

熱的処理装置および熱的処理方法

発明者：
寺下 裕一

寺下 裕一 について

, 
吉原 孝介

吉原 孝介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022805
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】塗布膜が形成された基板の面内温度均一性が維持される熱的処理装置および熱的処理方法を提供する。【解決手段】PEBユニット(PEB)は、レジスト膜が形成されたウエハWを載置するステージ31と、ステージ31を所定温度に加熱するヒータ35と、ステージ31を貫通して配置されたリフトピン32と、ウエハWを支持するリフトピン32の先端位置を任意の高さ位置で保持する昇降装置33と、を具備する。ステージ31に載置されて加熱処理されたウエハWがウエハ全体で略均一に冷却されるように、ウエハWをリフトピン32によってステージ31の上方に持ち上げる。このときウエハWを保持する高さ位置を調整することによりウエハWの冷却速度を制御する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
表面に塗布膜が形成された基板の熱的処理を行う熱的処理装置であって、 基板を載置するステージと、 前記ステージを所定温度に加熱する加熱手段と、 前記ステージを貫通して配置され、その先端で基板を支持するピン部材と、 前記ピン部材を昇降し、基板が支持される前記ピン部材の先端位置を任意の高さ位置で保持するピン昇降機構と、 を具備し、 前記ステージに載置されて加熱処理された基板が基板全体で略均一に冷却されるように、前記基板を前記ステージの上方に持ち上げて保持する高さを調整することにより前記基板の冷却速度が制御されることを特徴とする熱的処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F7/38
FI (2件)：
H01L21/30 567 ,  G03F7/38 511
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096FA01 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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