半導体デバイス用の改良型誘電体パシベーション

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 大塚住江
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-515170
公開番号（公開出願番号）：特表2008-500732
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

半導体デバイスは、少なくとも1つの表面を含むIII族窒化物半導体材料の層と、半導体材料の電気的応答を制御するための、表面上にある制御コンタクトと、制御コンタクトに隣接する1つの表面の少なくとも一部を被覆する誘電体バリア層であって、III族窒化物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、III族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する、誘電体バリア層と、III族窒化物の表面の残り部分を被覆する誘電体保護層とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、少なくとも1つの表面を含むIII族窒化物半導体材料の層と、前記半導体材料の電気的応答を制御するための、前記表面上にある制御コンタクトと、前記制御コンタクトに隣接する前記1つの表面の少なくとも一部を被覆する誘電体バリア層であって、前記III族窒化物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、前記III族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する、誘電体バリア層と、前記III族窒化物の表面の残り部分を被覆する誘電体保護層とを備えていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28 , H01L 21/283

FI (4件)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/283 C

Fターム (22件)：

4M104AA04 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-279301 出願人：株式会社東芝
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
半導体デバイスおよび電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-121730 出願人：古河電気工業株式会社

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