特許
J-GLOBAL ID：200903050442948057

有機薄膜トランジスタ素子

発明者：
平井 桂

平井 桂 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366442
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200365
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】樹脂基板やフィルム支持体を用いて素子を構成しても、電極や絶縁膜の接着性に優れ、機械的強度に優れて支持体の曲がりにも強い耐性を有し、かつキャリア移動度等のトランジスタ特性に優れる有機薄膜トランジスタ素子を提供する。【解決手段】ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
樹脂からなる支持体上に、無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層を有し、該下引き層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
Fターム (45件)：
2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA09 ,  2H092PA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE34 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (9件)
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