特許
J-GLOBAL ID：200903050487439757

窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
飯塚 和幸

飯塚 和幸 について

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藤倉 序章

藤倉 序章 について

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大島 祐一

大島 祐一 について

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柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-313761
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085851
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】電極形成プロセスが容易で、高い放熱性と高い外部量子効率とを有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板10上に、n-GaN層20、Ti膜30を順次形成し、これを熱処理することによって、Ti膜30を網目状とし、n-GaN層20中に空隙を形成した後、この網目状のTi膜30上に窒化物半導体からなる発光素子構造40を形成し、さらに発光素子構造40表面にCuW基板50を貼付した後、サファイア基板10とn-GaN層20とを、発光素子構造40から剥離し、剥離面に上部電極60、CuW基板50の底面に底面電極70を設けて窒化物系化合物半導体発光素子を得た。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、 (a)第一の基板上に、第一の窒化物系化合物半導体層を積層させる工程と、 (b)前記第一の窒化物系化合物半導体層上に、金属膜を形成する工程と、 (c)前記金属膜を表面に形成した第一の窒化物系化合物半導体層を熱処理することによって、前記金属膜を網目状とし、前記窒化物系化合物半導体層中に空隙を形成する工程と、 (d)前記網目状となった金属膜上に、第二の窒化物系化合物半導体層を含む発光素子構造を形成する工程と、 (e)前記発光素子構造上に、第二の基板を貼付する工程と、 (f)前記第一の基板と第一の窒化物系化合物半導体からなる層を、前記発光素子構造から剥離する工程と、 を備えることを特徴とした窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (16件)：
5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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