特許
J-GLOBAL ID：200903050593463560

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248346
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059831
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 結晶方位を制御して、配向の揃った結晶質半導体膜を形成すると共に、不純物の濃が低減された結晶質半導体膜を得る技術を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第1半導体領域を形成し、第1半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第1半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、TFTの活性層を形成するために第1半導体領域をエッチングして第2半導体領域を形成するものである。エッチングで形成される第2半導体領域のパターンは、TFTにおける電界効果移動度を向上させるために、レーザービームの走査方向と薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とを概略一致させる。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、絶縁表面上に第1半導体領域を形成し、前記第1半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、当該第1半導体領域を結晶化させ、その後、前記第1半導体領域をエッチングして、前記レーザービームの走査方向と、薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するように第2半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (67件)：
5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA16 ,  5F052FA02 ,  5F052FA06 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (17件)
全件表示
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM