シリコン薄膜製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058460
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】精度良くドーパント濃度制御がされた高品質のシリコン薄膜を低温で成膜する。【解決手段】原料ガスプラズマ9を基板5に供給してプラズマCVD法によりシリコン薄膜を成膜していく。この時、基板5にバイアス電圧を印加すると、原料ガスプラズマ9から、結晶化に適したエネルギーを有した加速イオン10が基板5に向かって入射し、大粒径のシリコン薄膜が形成される。また同時に、p型シリコン薄膜を形成する際には、少なくともボロンを含むドーピング剤20を供給し、n型シリコン薄膜を形成する際には、少なくとも燐,砒素,アンチモンを含むドーピング剤20を供給し、精度の良いドーパント制御をする。

請求項（抜粋）：

成膜室内に供給した原料ガスをプラズマ化してなる原料ガスプラズマを、前記成膜室内に設置した基板の表面上に供給して前記基板上にシリコン薄膜を成膜する際に、少なくともボロンを含むドーピング剤を前記成膜室に供給すると同時に、前記基板または前記基板の裏面に置かれたバイアス電極に電圧を印加することにより加速されて、前記シリコン薄膜の結晶化に適したエネルギーを有することとなった加速イオンを、前記原料ガスプラズマから前記基板の表面に入射させることにより、大粒径の結晶粒からなるp型シリコン薄膜を成膜することを特徴とするシリコン薄膜製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , C30B 29/06 504

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , C30B 29/06 504 F

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077AA08 , 4G077BA04 , 4G077DB16 , 4G077EB01 , 4G077EJ01 , 4G077TA04 , 4G077TC02 , 4G077UA01 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030FA01 , 4K030JA14 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AA14 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB04 , 5F045BB07 , 5F045CA13 , 5F045CA15 , 5F045DA61 , 5F045DP03 , 5F045EH16 , 5F045EH20

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-052422
結晶膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-274402 出願人：松下電器産業株式会社
被覆工作物を製造するための方法、その方法の利用およびそのための装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-503479 出願人：ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト

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